PENGENDALI ELEKTRONIKA MOTOR BLDC
Jimmy Linggarjati
Computer Engineering
Department, Faculty of Engineering, Binus University Jl. K.H. Syahdan No. 9,
Palmerah, Jakarta Barat 11480
ABSTRACT
Brushless DC is well-known in both the industry and Tamiya-fan, as a type of motor that is lightweight
and efficient in design, yet requires electronic commutation. This article
discusses comprehensively the selection of the right type of mosfet
BLDC motor specifications. This is very useful during
implementation. For
beginners, this article s quite interesting especially on the application of
electronics required to play BLDC motor. While for professionals, it will be interesting,
too because in Indonesia, commonly there are not many people pursuing
this field, so that the knowledge is very useful
for practitioners.
Keywords: BLDC,
MOSFET, bootstrap
ABSTRAK
BrushLess DC sudah dikenal dikalangan industri
hingga penggemar mainan mobil listrik -tamiya, sebagai salah satu jenis motor
penggerak yang ringan dan efesien dalam disainnya, tetapi memerlukan komutasi
elektronik. Artikel ini membahas secara menyeluruh cara pemilihan tipe mosfet
yang tepat untuk spesifikasi motor BLDC yang diberikan. Hal ini sangat berguna
pada saat implementasi. Bagi pemula tentunya artikel ini akan menarik terutama
dari sisi penerapan elektronika yang dibutuhkan untuk memutar motor BLDC ini,
sedangkan bagi para profesional, tentunya tetap akan menarik, karena di
Indonesia pada umumnya, tidak banyak orang yang menekuni bidang ini, sehingga
pengetahuan ini sangat berguna bagi kalangan praktisi.
Kata kunci: BLDC, MOSFET, bootstrap
PENDAHULUAN
BLDC adalah Brush-Less DC motor, di mana pergerakan rotor ditentukan
oleh perputaran komutasi elektronik. Hal ini berbeda
dengan motor DC brushed, di mana komutasi
dilakukan secara otomatis oleh
ring-komutator. Aplikasi dari BLDC adalah sama dengan motor DC Brushed. Dalam
artikel ini, akan dipelajari cara komutator elektronik bekerja pada motor BLDC.
Topik-topik yang akan dikupas
tuntas adalah: (1) karakteristik MOSFET; (2) mosfet driver;
(3) algoritma BLDC.
PEMBAHASAN
Karakteristik
Mosfet
Sebuah perusahaan komponen elektronika besar, IR (International Rectifier),
mengeluarkan produk HEXFET, yaitu beberapa produk MOSFET yang diperuntukkan
untuk melakukan pensaklaran dengan kapasitas arus (ampere) yang besar. MOSFET
adalah singkatan dari Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. MOSFET memiliki empat (4) jenis varian, yaitu
enhancement dan depletion mode, di mana di setiap mode tersebut terdapat N dan
P channel.
Gambar 1 Gambar P dan N
Channel Mosfet
Mosfet P-Channel memiliki panah keluar, hal ini menunjukkan bahwa
konduktansi yang terjadi disebabkan oleh holes, sedangakan Mosfet N-Channel
memiliki panah masuk, yang menunjukkan bahwa konduktansi yang terjadi
dikarenakan oleh elektrons.
Lalu, bagaimana MOSFET bekerja, khususnya sebagai saklar? VGS dari
N-Mosfet harus positif, sedangkan untuk P-Mosfet VGS harus negatif. Berikut ini
konfigurasi dasar N-Mosfet sebagai saklar (Gambar 2).
Gambar 2 Gambar NMosfet Sebagai Saklar
Gambar 3 Gambar PMosfet sebagai saklar
Penggunaan mosfet yang benar tentunya membutuhkan pengertian mendalam
pada karakteristik dari Mosfet tersebut (Mosfet,
2002). Berikut ini adalah penjabaran dari setiap parameter mosfet yang ada di dalam datasheet (dalam hal ini mosfet IRF540N): (1) on resistance Rds(on)
– ini adalah resistansi
yang terjadi di antara drain dan source pada saat IRF540N berada dalam
status sakelar tertutup (atau
on). Besarnya resistansi ini akan menentukan daya (V x I) yang akan didisipasi oleh IRF540N melalui struktur
mekaniknya. Semakin kecil nilai Rds(on) tentunya semakin kecil daya yang akan didisipasi oleh suatu mosfet,
karena I kuadrat
R berlaku; (2) Maximum drain current Id(max) – ini adalah arus
maksimum yang dapat dilalui kaki drain ke
kaki source, dan tentunya sangat
tergantung dari kemasan mosfet tersebut dan juga Rds(on); (3) Power Dissipation (PD) – ini adalah daya
maksimum yang dapat didisipasikan oleh mosfet, tergantung dari kemasannya; (4) Linear Derating Factor – ini adalah
besaran yang menyatakan berapa besar daya maksimum per derajat celcius yang
harus di-disipasikan; (5) Avalanche
Energy EA – ini adalah batasan mosfet dapat menampung energi yang terjadi
saat avalanche. Avalanche sendiri adalah kondisi di mana tegangan Drain-Source maksimum dilewati, dan arus besar melewati mosfet. Hal ini
tidak akan merusak mosfet secara permanen, selama energi avalanche
tersebut tidak melewati
batas maksimum;
(6) Peak diode recovery, dv/dt –
ini adalah parameter yang menyatakan seberapa cepat dioda-intrinsik mampu
berubah keadaan dari status off ke on. Hal ini sangat tergantung dari
berapa besar tegangan sebelum dioda tersebut on. Sehingga waktu yang dibutuhkan adalah t= tegangan-balik/peak diode
recovery; (7) Drain-to-Source
Breakdown Voltage – hal ini menyatakan tegangan maksimum yang diperbolehkan antara kaki drain dan
source, ketika mosfet dalam keadaan
off; (8) Gate threshold Voltage, Vgs(th) – tegangan gate-source minimum yang menyebabkan mosfet mulai on. Perhatikan bahwa untuk penggunaan mosfet sebagai saklar,
Vgs butuh tegangan
jauh lebih tinggi dari Vgs(th), yaitu 10volt; (9) Forward transconductance, gfs – ini adalah hubungan
linear
antara
tegangan Vgs dengan arus Drain (Id/Vgs).
Parameter ini penting bila mosfet dipergunakan sebagai penguat aktif atau
amplifier; (10) input Capacitance,
Ciss. Ini adalah kapasitansi gabungan dari terminal gate dengan terminal drain dan
source. CGD adalah faktor yang lebih
dominan.
Setelah kita mengerti parameter-parameter mosfet tersebut, bisa
ditentukan mosfet tipe apa yang sesuai untuk aplikasi tertentu. Dan hal yang
terpenting dalam penentuan tipe mosfet adalah Daya dan Panas yang dihasilkan
oleh mosfet tersebut. Daya yang mampu ditangani oleh suatu Mosfet, adalah
faktor penting dalam memilih mosfet apa yang digunakan. Daya yang di-disipasi
mosfet adalah perkalian tegangan di mosfet dengan arus yang mengalir. Meskipun
mosfet ini melewatkan arus yang besar, namun tegangan jatuh pada drain-source kecil, hal ini dikarenakan Rds(on) pada mosfet biasanya
berada di kisaran 0,02 Ohms. Sedangkan pada saat mosfet off, arus yang melewati drain-source sangat kecil.
Sehingga dapat dijabarkan dengan persamaan daya sebagai
berikut:
2
P = i Rds(on)
Seumpamanya arus sebesar 30 ampere melalui Rds(on) = 0,02
Ohms, daya yang terdisipasi dari mosfet
tersebut adalah sebesar
18 Watt, dan untuk daya sebesar itu, mosfet perlu diberi heatsink.
Sumber lain yang menyebabkan mosfet
menjadi panas, adalah
pergantian kondisi dari on ke
off atau sebaliknya, di mana terjadi
kondisi singkat di mana mosfet berada pada kondisi 1/2 on dan 1/2 off. Berdasarkan
contoh sebelumnya, maka arus yang lewat adalah 15 ampere dengan tegangan antara
drain-source misalnya 5 volts, maka daya yang terdisipasi adalah 15 x 5
atau 75 Watts. Namun karena waktu transisi yang singkat, daya sebenarnya tidak
sebesar itu, tapi diambil dari perbandingan waktu transisi
dengan waktu antar
transisi, dikali total Watts transisi
(dalam hal ini 75
Watts). Atau secara umum, rumus daya terdisipasi rata-rata adalah:
Total watt transisi(VI) × (waktu transisi/waktu antar transisi(frekuensi))
Agar persamaan di atas tersebut jelas, kita memerlukan sebuah contoh
kasus masalah dan solusinya. Masalah: Sebuah mosfet digetarkan pada frekuensi
20KHz (di atas frekuensi dengar manusia) dan memerlukan waktu 1 mikrodetik untuk pergantian on-off. Jika tegangannya adalah
10v dan arus 30A, daya yang terdisipasi karena transisi ini adalah:
0.04 × 5v × 15A =3Watts.
Nilai 0,04 didapatkan dari 1 mikrodetik / 25 mikrodetik, di mana 25 mikrodetik didapat
dari t/2 = (1/20KHz)/2 = 50/2 mikrodetik = 25 udetik.
Arus Drain
Besar arus pada mosfet Drain seringkali ditulis di datasheet pada
angka maksimum. Namun hal ini perlu dicermati dengan
hati-hati, karena pada suhu ruang 25 derajat celcius tidak memungkinkan arus
tersebut tetap maksimum. Sebaiknya melihat grafik penurunan arus sebagai fungsi
dari temperatur agar dapat melihat kapasitas arus yang sebenarnya.
Kecepatan On-Off
Kecepatan transisi
mosfet ditentukan oleh parameter turn-on delay,
rise time, turn-off delay, dan fall time. Jika ditotal keseluruhan
parameters tersebut, akan didapatkan periode minimum gelombang kotak pada
mosfet tersebut, sebagai contoh IRF540N, memiliki total waktu 142ns. Artinya frekuensi
tertinggi yang dapat
diberikan pada mosfet IRF540N adalah
mendekati 6MHz,
namun perlu diperhatikan mosfet
tersebut akan menjadi sangat panas, karena sering berada di kondisi transisi
dari on-off!
Penentuan MOSFET Tipe IRF540N
Rancangan desain motor ac (BL Super Sanyo Denki) yang menggunakan BLDC
ini memiliki resistansi 31,5 x 2 (63) ohms. Frekuensi getar harus berada di
atas pendengaran manusia, yaitu 20KHz. Tegangan motor yang akan diberikan
adalah sebesar 60Volts. Jika melihat arus saat motor baru akan dinyalakan
(stall/diam), arus yang dibutuhkan adalah 60/63 (0,95 -mendekati 1) ampere. Jika diasumsikan suhu pada mosfet tersebut 125 derajat celcius,
arus maksimum yang dapat
dilewatkan oleh mosfet IRF540N adalah 19 ampere (lihat gambar 4 yang diambil
dari datasheet IRF540N). 19A angka yang lebih dari cukup untuk 1A arus stall, sehingga
IRF540N bisa digunakan untuk kasus ini.
Gambar 4 Gambar maximum
drain current vs. temperature
Berapa daya yang akan di-disipasikan oleh IRF540N ini? Untuk
menjawabnya, kita perlu mengetahui besar Rds(on), yaitu 0.052 Ohms. Pada gambar
5 (Normalized On-Resistance Vs. Temperature), dapat dilihat bahwa nilai Rds(on)
bertambah sebesar 1,8 x 0,052 Ohms (0.0936 Ohms). Dengan kondisi arus stall sebesar
1A, maka PD = 1 x 1 x 0,0936
= 0,0936 Watts.
Karena PD dibawah 1 Watt,
kesimpulan yang didapat adalah aplikasi ini tidak memerlukan heatsink, bahkan
pada prakteknya kondisi arus stall terjadi kurang lebih 20% dari nilai PD!
Gambar 5 Gambar normalized
on-resistance vs. temperature
Sekarang, kita tinggal menghitung daya yang ter-disipasi karena proses
switching. Hal ini terjadi hanya saat rise-time dan fall-time, yaitu
49ns+77ns=126ns. Daya yang ter-disipasi menjadi 126ns x 20KHz = 2,52mWatts.
Nilai ini dapat diabaikan karena terlalu kecil.
Mosfet Driver
Mosfet Driver yang akan digunakan adalah IR2184. IC ini mampu
menyediakan tegangan Vgs di atas 10Volts, yang dibutuhkan untuk membuat mosfet
berfungsi sebagai saklar. IC ini juga menyediakan arus yang cukup untuk mengisi
kapasitor Ciss pada mosfet, sehingga waktu on
pada mosfet dapat dilakukan secepat mungkin. Mosfet driver ini digunakan
untuk sisi High-side dan Low-side dari tipe N-Mosfet, sehingga di dalam chip
IR2184 tersebut terdapat rangkaian bootstrap (Se-Kyo Chung and Jung-Gyu Lim,
2007), yang berfungsi untuk menaikkan tegangan VGS di sisi High-side N-Mosfet,
agar mosfet tersebut dapat berfungsi sebagai saklar dengan baik.
Algoritma BLDC
BLDC memerlukan algoritma dasar yang akan menggerakkan rotor pada motor
BLDC (Brown, 2011.). Teknik komutator BLDC sendiri dibagi dua cara, yaitu
sensored dan sensorless. Cara sensorless memiliki keunggulan dalam hal
realibitas di koneksi kabel sensor yang tidak ada lagi, tapi kekurangan dari
cara sensorless adalah dibutuhkannya algoritma pemrograman yang lebih kompleks (Jianwen
Shao, 2005) Teknik
komutasi motor BLDC dengan sensored, menggunakan tiga
buah Hall-sensor, yang mendeteksi posisi sudut rotor untuk kemudian
memerintahkan kumparan stator berikutnya untuk
menyala. Secara keseluruhan terdapat 6 langkah
untuk melakukan perputaran sebesar 360 derajat disebut
juga sebagai komutasi trapezoidal. Kemudian teknik ke-dua dari algoritma BLDC
adalah komutasi Sinusoidal (Sambada, 2005). Komutasi Sinusoidal menghasilkan
perputaran yang halus (ripple kecil) dibandingkan dengan komutasi trapezoidal
(Precision MicroControl Corporation, n.d).
DAFTAR PUSTAKA
Brown, Ward.
(2011). Brushless DC Motor Control Made
Easy. Microchip Application Note AN857. Diakses dari http://ww1.microchip.com/downloads/cn/AppNotes/cn012037.pdf
Jianwen Shao. (2005). An Improved Microcontroller-based Sensorless Brushless DC (BLDC)
Motor Drive for Automotive Applications. Industry Applications Conference. Fourtieth IAS Annual Meeting.
Conference Record of the 2005.
Mosfet. (2002). Mosfet and Mosfet Drivers. Diakses dari http://robots.freehostia.com/SpeedControl/Mosfets.html.
Precision MicroControl Corporation. (n.d). Brushless AC Motor Commutation: Sinusoidal Commutation with a PC based
Motion Controller. Diakses dari http://www.pmccorp.com/support/appnotes/an1004.pdf.
Sambada,
Jorge. (2005). Sinusoidal Control of PMSM
Motors with dsPIC30F DSC. Diakses dari http://ww1.microchip.com/downloads/en/AppNotes/01017A.pdf.
Se-Kyo
Chung and Jung-Gyu Lim. (2007). Design of
Bootstrap Power Supply for Half-Bridge Circuits using Snubber Energy
Regeneration. Diakses dari http://www.review.jpe.or.kr/On
line/.../JPE%207-4 -4.pdf.
*********************************************************
OPTIMASI PENENTUAN JENIS MOSFET PADA
PENGENDALI ELEKTRONIKA MOTOR BLDC
PENGENDALI ELEKTRONIKA MOTOR BLDC
Saktio Suryowidagado
ABSTRAK
BrushLess DC sudah dikenal dikalangan industri hingga penggemar
mainan mobil listrik atau bisa disebut tamiya, sebagai salah satu jenis motor
penggerak yang ringan dan efesien dalam disainnya, tetapi memerlukan komutasi
elektronik. Artikel ini membahas secara menyeluruh cara pemilihan tipe mosfet
yang tepat untuk spesifikasi motor BLDC yang diberikan. Hal ini akan sangat
berguna pada saat implementasi. Bagi pemula tentunya artikel ini akan menarik
terutama dari sisi penerapan elektronika yang dibutuhkan untuk memutar motor
BLDC ini, sedangkan bagi para profesional, tentunya tetap akan menarik, karena
di Indonesia pada umumnya, tidak banyak orang yang menekuni di bidang ini,
sehingga pengetahuan ini akan sangat berguna.
Kata kunci: BLDC, MOSFET,
bootstrap
PENDAHULUAN
BLDC adalah perputaran komutasi elektronik yang
menentukan gerakan rotor. Sedangkan motor DC brushed dilakukan secara
otomatis oleh ring-komutator. Pada pembahasan ini akan dibahas cara kerja komutator
elektronik pada motor BLDC.
Topik-topik
yang akan dibahas adalah: (1) karakteristik MOSFET; (2) mosfet driver;
(3)
algoritma BLDC.
PEMBAHASAN
Karakteristik Mosfet
Sebuah perusahaan komponen elektronika besar, seperti
IR (International Rectifier), mengeluarkan produk HEXFET, yaitu
seperti beberapa produk MOSFET yang di utamakan untuk melakukan
pensaklaran dengan menggunakan kapasitas arus (ampere) yang besar. MOSFET
adalah singkatan dari Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor. MOSFET memiliki empat (4) jenis varian, yaitu enhancement dan
depletion mode, di mana di setiap mode tersebut terdapat N dan P channel.
Berikut adalah simbol dari dua jenis enhancement
mode MOSFET, yaitu P-Channel Mosfet dan N-Channel Mosfet (Gambar 1).
Mosfet
P-Channel memiliki panah yang keluar, hal ini menunjukkan bahwa konduktansi
yang terjadi disebabkan oleh holes, sedangakan Mosfet N-Channel memiliki panah
yang masuk, menunjukkan bahwa konduktansi yang terjadi dikarenakan oleh
elektron.
Lalu, bagaimana cara MOSFET bekerja, khususnya
sebagai saklar? VGS dari N-Mosfet harus positif, sedangkan untuk P-Mosfet
VGS harus negatif. Berikut ini konfigurasi dasar N-Mosfet sebagai saklar
(Gambar 2).
Gambar 2 Gambar NMosfet Sebagai Saklar
Dan
konfigurasi dasar P-Mosfet sebagai saklar sebagai berikut (Gambar 3).
Gambar 3 Gambar PMosfet sebagai saklar
Penggunaan mosfet yang benar tentunya
membutuhkan pengertian mendalam pada karakteristik dari Mosfet tersebut
(Mosfet, 2002). Berikut
ini adalah penjabaran dari setiap parameter mosfet yang ada di dalam datasheet (dalam hal ini mosfet IRF540N): (1) on resistance Rds(on)
– ini adalah resistansi
yang terjadi di antara drain dan source pada saat IRF540N berada dalam
status sakelar tertutup (atau
on). Besarnya resistansi ini akan menentukan daya (V x I) yang akan didisipasi oleh IRF540N melalui struktur
mekaniknya. Semakin kecil nilai Rds(on) tentunya semakin kecil daya yang akan didisipasi oleh suatu mosfet,
karena I kuadrat
R berlaku; (2) Maximum drain current Id(max) – ini adalah arus
maksimum yang dapat dilalui kaki drain ke
kaki source, dan tentunya sangat
tergantung dari kemasan mosfet tersebut dan juga Rds(on); (3) Power Dissipation (PD) – ini adalah daya
maksimum yang dapat didisipasikan oleh mosfet, tergantung dari kemasannya; (4) Linear Derating Factor – ini adalah
besaran yang menyatakan berapa besar daya maksimum per derajat celcius yang
harus di-disipasikan; (5) Avalanche
Energy EA – ini adalah batasan mosfet dapat menampung energi yang terjadi
saat avalanche. Avalanche sendiri adalah kondisi di mana tegangan Drain-Source maksimum dilewati, dan arus besar melewati mosfet. Hal ini
tidak akan merusak mosfet secara permanen, selama energi avalanche
tersebut tidak melewati
batas maksimum;
(6) Peak diode recovery, dv/dt – ini adalah parameter yang menyatakan
seberapa cepat dioda-intrinsik mampu berubah keadaan dari status off ke on.
Hal ini sangat tergantung dari berapa besar tegangan sebelum dioda tersebut on. Sehingga waktu yang dibutuhkan
adalah t= tegangan-balik/peak diode recovery; (7) Drain-to-Source Breakdown Voltage – hal ini menyatakan tegangan maksimum
yang diperbolehkan antara
kaki drain dan source, ketika
mosfet dalam keadaan off; (8) Gate threshold Voltage, Vgs(th) – tegangan gate-source minimum yang menyebabkan mosfet mulai on. Perhatikan bahwa untuk penggunaan mosfet sebagai saklar,
Vgs butuh tegangan
jauh lebih tinggi dari Vgs(th), yaitu 10volt; (9) Forward transconductance, gfs – ini adalah hubungan
linear antara tegangan Vgs dengan arus Drain (Id/Vgs). Parameter ini penting bila mosfet dipergunakan
sebagai penguat aktif atau amplifier; (10) input
Capacitance, Ciss. Ini adalah kapasitansi gabungan dari terminal gate dengan terminal drain dan source. CGD adalah faktor yang lebih dominan.
Arus Drain
Besar
arus pada mosfet Drain sering
ditulis di datasheet pada
angka maksimum. Namun hal ini perlu dicermati dengan sangat
hati-hati, karena pada suhu ruang 25 derajat celcius tidak memungkinkan arus
tersebut tetap maksimum. Sebaiknya melihat grafik penurunan arus sebagai fungsi
dari temperatur agar dapat melihat kapasitas arus yang sebenarnya.
Kecepatan On-Off
Kecepatan transisi mosfet
ditentukan oleh parameter turn-on delay,
rise time, turn-off delay, dan fall time.
Jika ditotal kan keseluruhan parameters tersebut, akan didapatkan periode
minimum gelombang kotak pada mosfet tersebut, sebagai contoh IRF540N, memiliki
total waktu 142ns. Artinya frekuensi tertinggi
yang dapat diberikan pada mosfet IRF540N
adalah mendekati 6MHz. Namun, perlu diperhatikan mosfet
tersebut akan menjadi sangat panas, karena sering berada di kondisi transisi
dari on-off!
Penentuan MOSFET Tipe IRF540N
Rancangan desain motor ac (BL Super
Sanyo Denki) yang menggunakan BLDC ini memiliki resistansi 31,5 x 2 (63) ohms.
Frekuensi getar harus berada di atas pendengaran manusia, yaitu 20KHz. Tegangan
motor yang akan diberikan adalah sebesar 60 Volt. Jika melihat arus saat motor
baru akan dinyalakan (stall/diam), arus yang dibutuhkan adalah 60/63 (0,95
-mendekati 1) ampere. Jika diasumsikan suhu pada mosfet tersebut 125 derajat celcius,
arus maksimum yang dapat
dilewatkan oleh mosfet IRF540N adalah 19 ampere (lihat gambar 4 yang diambil
dari datasheet IRF540N). 19A angka yang lebih dari cukup untuk 1A arus stall, sehingga
IRF540N bisa digunakan untuk kasus ini.
Gambar 4 Gambar maximum
drain current vs. temperature
Berapa daya yang akan di-disipasikan
oleh IRF540N ini? Untuk menjawabnya, kita perlu mengetahui besar Rds(on), yaitu
0.052 Ohms. Pada gambar 5 (Normalized On-Resistance Vs. Temperature), dapat
dilihat bahwa nilai Rds(on) bertambah sebesar 1,8 x 0,052 Ohms (0.0936 Ohms). Dengan
kondisi arus stall
sebesar 1A, maka PD = 1 x 1 x 0,0936 = 0,0936 Watts.
Karena PD dibawah 1 Watt,
kesimpulan yang didapat adalah aplikasi ini tidak memerlukan heatsink, bahkan
pada prakteknya kondisi arus stall terjadi kurang lebih 20% dari nilai PD!
Sekarang, kita tinggal menghitung daya yang
ter-disipasi karena proses switching. Hal ini terjadi hanya saat rise-time dan
fall-time, yaitu 49ns+77ns=126ns. Daya yang ter-disipasi menjadi 126ns x 20KHz
= 2,52mWatts. Nilai ini dapat diabaikan karena terlalu kecil.
Mosfet Driver
Mosfet Driver yang akan digunakan
adalah IR2184. IC ini akan mampu menyediakan tegangan Vgs di atas 10Volt, yang
dibutuhkan untuk membuat mosfet berfungsi sebagai saklar. IC ini juga
menyediakan arus yang cukup untuk mengisi kapasitor Ciss pada mosfet, sehingga
waktu on pada mosfet dapat dilakukan
secepat mungkin. Mosfet driver ini digunakan untuk sisi High-side dan Low-side
dari tipe N-Mosfet, sehingga di dalam chip IR2184 tersebut terdapat rangkaian
bootstrap (Se-Kyo Chung and Jung-Gyu Lim, 2007), yang berfungsi untuk menaikkan
tegangan VGS di sisi High-side N-Mosfet, agar mosfet tersebut dapat berfungsi
sebagai saklar dengan baik.
Algoritma BLDC
BLDC memerlukan algoritma dasar yang
akan menggerakkan rotor pada motor BLDC (Brown, 2011.). Teknik komutator BLDC
sendiri dibagi menjadi dua cara, yaitu sensored dan sensorless. Cara sensorless
memiliki keunggulan dalam hal realibitas di koneksi kabel sensor yang tidak ada
lagi, tapi kekurangan dari cara sensorless adalah dibutuhkannya algoritma
pemrograman yang lebih kompleks (Jianwen Shao,
2005) Teknik komutasi
motor BLDC dengan
sensored, menggunakan tiga buah Hall-sensor, yang akan mendeteksi
posisi sudut rotor untuk kemudian memerintahkan kumparan stator berikutnya untuk menyala. Secara
keseluruhan terdapat 6 langkah untuk
melakukan perputaran sebesar
360 derajat disebut juga sebagai komutasi trapezoidal. Kemudian teknik kedua
dari algoritma BLDC adalah komutasi Sinusoidal (Sambada, 2005). Komutasi
Sinusoidal menghasilkan perputaran yang halus (ripple kecil) dibandingkan
dengan komutasi dari trapezoidal (Precision MicroControl Corporation, n.d).
KESIMPULAN
Menurut analisa yang saya lakukan dari jurnal
“Optimasi Penentuan Jenis Mosfet Pada Pengendali Elektronika Motor BLDC” di
dapat kesimpulan bahwa: BrushLess DC sudah
dikenal dikalangan industri hingga penggemar mainan mobil listrik -tamiya,
sebagai salah satu jenis motor penggerak yang ringan dan efesien dalam
disainnya, tetapi memerlukan komutasi elektronik. Artikel ini membahas secara
menyeluruh cara pemilihan tipe mosfet yang tepat untuk spesifikasi motor BLDC
yang diberikan. Hal ini sangat berguna pada saat implementasi. Bagi pemula
tentunya artikel ini akan menarik terutama dari sisi penerapan elektronika yang
dibutuhkan untuk memutar motor BLDC ini, sedangkan bagi para profesional, tentunya
tetap akan menarik, karena di Indonesia pada umumnya, tidak banyak orang yang
menekuni bidang ini, sehingga pengetahuan ini akan sangat berguna.
DAFTAR PUSTAKA
[1] Brown,
Ward. (2011), “Brushless DC Motor Control
Made Easy”. Microchip Application Note AN857. Diakses dari http://ww1.microchip.com/downloads/cn/AppNotes/cn012037.pdf
[2]
Jianwen Shao. (2005), “An Improved
Microcontroller-based Sensorless Brushless DC (BLDC) Motor Drive for Automotive Applications”.
Industry Applications Conference.
Fourtieth IAS Annual Meeting. Conference Record of the 2005.
[3]
Mosfet, (2002), “Mosfet and Mosfet Drivers”, Diakses dari
http://robots.freehostia.com/SpeedControl/Mosfets.html.
[4] Precision MicroControl Corporation. (n.d), “Brushless AC Motor Commutation: Sinusoidal Commutation with a PC based
Motion Controller”, Diakses dari http://www.pmccorp.com/support/appnotes/an1004.pdf.
[5]
Sambada, Jorge. (2005). "Sinusoidal
Control of PMSM Motors with dsPIC30F DSC", Diakses dari http://ww1.microchip.com/downloads/en/AppNotes/01017A.pdf.
[6]
Se-Kyo Chung and Jung-Gyu Lim. (2007). "Design
of Bootstrap Power Supply for Half-Bridge Circuits using Snubber Energy
Regeneration", Diakses dari http://www.review.jpe.or.kr/On line/.../JPE%207-4-4.pdf.
[7]
Jimmy Linggarjati. (2012). “Optimasi Penentuan Jenis Mosfet Pada Pengendali
Elektronika Motor BLDC”, Diakses dari
http://researchdashboard.binus.ac.id/uploads/paper/document/publication/Journal/Teknik%20Komputer/Vol%2020%20No%202%20Agustus%202012/04_Jimmy%20L.OK.pdf.